N溝道耗盡型MOS管和N溝道增強(qiáng)型MOS管的結(jié)構(gòu)基本相同。差別在于耗盡型MOS管的Si02絕緣層中摻有大量的正離子Na+或K+（制造P溝道耗盡型MOS管時(shí)摻人負(fù)離子），故在UCs=0時(shí)，這些正離子產(chǎn)生的電場作用下，漏極一源極間的P型襯底表面也能感應(yīng)天生N溝道（稱為初始溝道），只要加上正向電壓UDS，就有電流。假如加上正的UCs，柵極與N溝道間的電場將在溝道中吸引來更多的.
N溝道耗盡型MOS管和N溝道增強(qiáng)型MOS管的結(jié)構(gòu)基本相同。差別在于耗盡型MOS管的Si02絕緣層中摻有大量的正離子Na+或K+（制造P溝道耗盡型MOS管時(shí)摻人負(fù)離子），故在UCs=0時(shí)，
這些正離子產(chǎn)生的電場作用下，漏極一源極間的P型襯底表面也能感應(yīng)天生N溝道（稱為初始溝道），只要加上正向電壓UDS，就有電流。假如加上正的UCs，柵極與N溝道間的電場將在溝道中吸引來更多的電子，溝道加寬，溝道電阻變小。增大。反之UCs為負(fù)時(shí)，溝道中感應(yīng)的電子減少，溝道變窄，溝道電阻變大。減少。當(dāng)UCS負(fù)向增加到某一數(shù)值時(shí)，導(dǎo)電溝道消失。趨于零，管子截止，故稱為耗盡型。
這些正離子產(chǎn)生的電場作用下，漏極一源極間的P型襯底表面也能感應(yīng)天生N溝道（稱為初始溝道），只要加上正向電壓UDS，就有電流。假如加上正的UCs，柵極與N溝道間的電場將在溝道中吸引來更多的電子，溝道加寬，溝道電阻變小。增大。反之UCs為負(fù)時(shí)，溝道中感應(yīng)的電子減少，溝道變窄，溝道電阻變大。減少。當(dāng)UCS負(fù)向增加到某一數(shù)值時(shí)，導(dǎo)電溝道消失。趨于零，管子截止，故稱為耗盡型。N溝道耗盡型MOSFET的結(jié)構(gòu)與增強(qiáng)型MOSFET結(jié)構(gòu)類似，只有一點(diǎn)不同，就是N溝道耗盡型MOSFET在柵極電壓uGS=0時(shí)，溝道已經(jīng)存在。該N溝道是在制造過程中應(yīng)用離子注入法預(yù)先在襯底的表面，在D、S之間制造的，稱之為初始溝道。N溝道耗盡型MOSFET的結(jié)構(gòu)和符號如圖1.（a）所示，它是在柵極下方的SiO2絕緣層中摻入
了大量的金屬正離子。所以當(dāng)VGS＝0時(shí)，這些正離子已經(jīng)感應(yīng)出反型層，形成了溝道。于是，只要有漏源電壓，就有漏極電流存在。當(dāng)VGS＞0時(shí)，將使ID進(jìn)一步增加。VGS＜0時(shí)，跟著VGS的減小漏極電流逐漸減小，直至ID＝0。對應(yīng)ID＝0的VGS稱為夾斷電壓，用符號VGS(off)表示，有時(shí)也用VP表示。N溝道耗盡型MOSFET的轉(zhuǎn)移特性.
了大量的金屬正離子。所以當(dāng)VGS＝0時(shí)，這些正離子已經(jīng)感應(yīng)出反型層，形成了溝道。于是，只要有漏源電壓，就有漏極電流存在。當(dāng)VGS＞0時(shí)，將使ID進(jìn)一步增加。VGS＜0時(shí)，跟著VGS的減小漏極電流逐漸減小，直至ID＝0。對應(yīng)ID＝0的VGS稱為夾斷電壓，用符號VGS(off)表示，有時(shí)也用VP表示。N溝道耗盡型MOSFET的轉(zhuǎn)移特性.耗盡型MOS場效應(yīng)管，是在制造過程中，預(yù)先在SiO2絕緣層中摻入大量的正離子，因此，在UGS=0時(shí)，這些正離子產(chǎn)生的電場也能在P型襯底中“感應(yīng)”出足夠的電子，形成N型導(dǎo)電溝道。
當(dāng)UDS>0時(shí)，將產(chǎn)生較大的漏極電流ID。假如使UGS<0，則它將削弱正離子所形成的電場，使N溝道變窄，從而使ID減小。當(dāng)UGS更負(fù)，達(dá)到某一數(shù)值時(shí)溝道消失，ID=0。使ID=0的UGS我們也稱為夾斷電壓，仍用UP表示。UGS
據(jù)導(dǎo)電方式的不同，MOSFET又分增強(qiáng)型、耗盡型。耗盡型是指，當(dāng)VGS=0時(shí)即形成溝道，加上準(zhǔn)確的VGS時(shí)，能使多數(shù)載流子流出溝道，因而“耗盡”了載流子，使管子轉(zhuǎn)向截止。
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