漏極電流上升和下降太快會在地線和電源線上引起較大的 Ldi/dt 尖峰電壓并在鄰近的線路或節(jié)點(diǎn)上輯合出大的 CdV/dt j良涌電流。
由此引出的問題是，為了盡可能縮短漏極電流的上升時間 ，具體需要多大的柵極電壓上升速度 。圖 9.3b和圖 9.3d 的傳輸特性曲線中給出了答案 。
對于MOSFET管，漏極電流從0上升到Id的時間對應(yīng)于柵極電壓從值電壓比上升到 Vg1 的時間，如圖9.3b所示。柵極電壓從0上升到闕值（ 約為 2.5V ） 的時間為 MOSFET 管的導(dǎo)通延遲時間 。漏極電流導(dǎo)通速度并不能像雙極型晶體管那樣通過在輸入端施加過驅(qū)動來如速（見8.2節(jié)和圖8.2 (b） 。
另外，MOSFET沒有存儲時間 ，只存一個關(guān)斷延遲時間 。關(guān)斷延遲時間是柵極電壓從最高電壓（約為OV ） 下降到電壓 Vd1 圖 9.3 b所需的時間 。在這個時間段內(nèi)漏極電流保持不變 ，當(dāng)柵極電壓下降到 Vd1 時，MOS管開始關(guān)斷 。所以漏極電流F降時間是柵極電壓從 Vd1下降到闊值比的時間。
下面討論 MTM7N45 管從關(guān)斷狀態(tài)到漏極電流Id上升到 2.5A 的導(dǎo)通過程。在柵極電壓 從ov上升至2.5V的50ns 時間里，漏極電流Id為 ov ，如圖9.3 b所示。隨后在柵極電壓升到 5V 的過程中，漏極電流Id 將逐漸從 OA 上升至 2.5A 。
因此，若柵極電壓從ov 上升至 IOV 需要 50ns，則漏極電流從 OA 上升至 2.5A 的時間約 為 （ 2.5+10 ）×50=12.Sns ，如圖 9.5 所示。這樣 ，柵極驅(qū)動電壓為 IOV 的MOSFET 管的導(dǎo)通時間是漏極開路電流導(dǎo)通時間的 2 3 倍。這是因?yàn)槁O電流的上升時間僅僅是柵極電壓上升時間的一小部分。柵極電流只需要為前面計算值的 3/1，2/1 就可以了。
圖若柵極電壓上升時間為 50ns ，則漏極電流上升時間為 12.5ns。柵極電壓從 ov 上升到 2.5V 的闕 值電壓的時間只是一個延遲時間 。當(dāng)柵極電壓達(dá)到 5 7V 時，大部分漏極電流已經(jīng)建立起來。
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