mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
MOS管作為半導(dǎo)體領(lǐng)域最基礎(chǔ)的器件之一，無論是在 IC 設(shè)計里，還是板級電路應(yīng)用上，都十分廣泛，尤其在大功率半導(dǎo)體領(lǐng)域。然而大功率逆變器MOS管，工作的時候，發(fā)熱量非常大，如果MOS管散熱效果不好，溫度過高就可能導(dǎo)致MOS管的燒毀，進而可能導(dǎo)致整個電路板的損毀。
MOS管發(fā)熱原因
由超出安全區(qū)域引起發(fā)熱而導(dǎo)致的。發(fā)熱的原因分為直流功率和瞬態(tài)功率兩種。
直流功率原因：外加直流功率而導(dǎo)致的損耗引起的發(fā)熱
1、導(dǎo)通電阻RDS(on)損耗(高溫時RDS(on)增大，導(dǎo)致一定電流下，功耗增加)
2、由漏電流IDSS引起的損耗(和其他損耗相比極小)
3、瞬態(tài)功率原因：外加單觸發(fā)脈沖
4、負載短路
5、開關(guān)損耗(接通、斷開) *(與溫度和工作頻率是相關(guān)的)
6、內(nèi)置二極管的trr損耗(上下橋臂短路損耗)(與溫度和工作頻率是相關(guān)的)
器件正常運行時不發(fā)生的負載短路等引起的過電流，造成瞬時局部發(fā)熱而導(dǎo)致破壞。另外，由于熱量不相配或開關(guān)頻率太高使芯片不能正常散熱時，持續(xù)的發(fā)熱使溫度超出溝道溫度導(dǎo)致熱擊穿的破壞。
許多mos管具有結(jié)溫過高保護，所謂結(jié)溫就是金屬氧化膜下面的溝道區(qū)域溫度，一般是150攝氏度。超過此溫度，mos管不可能導(dǎo)通。溫度下降就恢復(fù)。
MOS管的熱設(shè)計
避免MOS因為器件發(fā)熱而造成的損壞，需要做好足夠的散熱設(shè)計。若通過增加散熱器和電路板的長度來供所有MOS管散熱，這樣就會增加機箱的體積，同時這種散熱結(jié)構(gòu)，風(fēng)量發(fā)散，散熱效果不好。有些大功率逆變器MOS管會安裝通風(fēng)紙來散熱，但安裝很麻煩。
所以MOS管對散熱的要求很高，散熱條件分為最低和最高，即在運行中的散熱情況的上下浮動范圍。一般在選購的時候通常采用最差的散熱條件為標(biāo)準，這樣在使用的時候就可以留出最大的安全余量，即使在高溫中也能確保系統(tǒng)的正常運行。
做好MOS管的熱設(shè)計，需要足夠的散熱片以及導(dǎo)熱絕緣硅膠墊片才能實現(xiàn)。mos散熱片是一種給電器中的易發(fā)熱電子元件散熱的裝置，多由鋁合金，黃銅或青銅做成板狀，片狀，多片狀等，如電腦中CPU中央處理器要使用相當(dāng)大的散熱片，電視機中電源管，行管，功放器中的功放管都要使用散熱片。
MOS管發(fā)熱如何解決
功率MOS管在過較大的電流時會有發(fā)熱現(xiàn)象，電子元器件對溫度比較敏感，長期工作在高溫狀態(tài)下，會縮短使用壽命，所以要加快熱量的散發(fā)。針對MOS管的發(fā)熱情況可以考慮三個方面去解決。
1、加裝散熱片，擴大散熱面積
功率電子元器件過大電流發(fā)熱比較嚴重，為了提高散熱效率，需要加裝散熱片，將熱量盡快散掉。在設(shè)計之初會，結(jié)構(gòu)工程師根據(jù)過電流情況，估算發(fā)熱情況，并結(jié)算使用多大的散熱片。以BLDC為例，所用的6個MOS管都是加裝散熱片的，甚至將整個外殼做成鋁殼，將MOS管固定在外殼上加快散熱。
2、選用導(dǎo)通內(nèi)阻較小、過電流大的MOS管
MOS管的源極S和漏極D導(dǎo)通后，會有一個導(dǎo)通電阻Rds（ON），這個導(dǎo)通電阻差異較大，從幾mΩ到幾百mΩ不等。在設(shè)計選型時，要根據(jù)電路情況選擇過電流較大、導(dǎo)通電阻較小的MOS管。
3、盡量選用NMOS，而不是PMOS
從生產(chǎn)工藝上來講，NMOS比PMOS更占優(yōu)勢，因為同規(guī)格的NMOS和PMOS而言，NMOS能做到更小的內(nèi)阻，且價格略便宜。也正是因為這個原因，NMOS比PMOS使用更加廣泛。
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