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  • 三極管與MOS管工作原理詳細(xì)解析
    • 發(fā)布時(shí)間:2020-11-24 17:37:23
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    三極管與MOS管工作原理詳細(xì)解析
    三極管和MOS管工作原理
    PN結(jié)的形成:PN結(jié)是三極管以及MOS管中最基本的組成部分,要想徹底搞明白三極管和MOS管工作原理,必須先搞清楚PN結(jié)形成的原理和工作特性。
    本征半導(dǎo)體以及空穴對
    本征半導(dǎo)體(intrinsic semiconductor))完全不含雜質(zhì)且無晶格缺陷的純凈半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體。主要常見代表有硅、鍺這兩種元素的單晶體結(jié)構(gòu)。硅、鍺都是4價(jià)原子,在半導(dǎo)體內(nèi)部形成相對穩(wěn)定的共價(jià)鍵結(jié)構(gòu),如圖1所示。
    三極管與MOS管工作原理
    在低溫下這種結(jié)構(gòu)相對穩(wěn)定,但如果溫度增高,束縛電子獲得足夠能量后會(huì)脫離共價(jià)鍵形成自由電子。同時(shí)在原來共價(jià)鍵的位置會(huì)留下一個(gè)空穴,如圖2所示。
    三極管與MOS管工作原理
    從宏觀上來說,自由電子雖然脫離了共價(jià)鍵,但是還是在晶體范圍內(nèi)的,所以宏觀上晶體依舊是電中性。但是從微觀上看自由電子帶負(fù)電荷,空穴帶正電荷。正是由于晶體還是呈現(xiàn)電中性,所以空穴和自由電子的一定是成對出現(xiàn)的,于是稱之為空穴對。
    在出現(xiàn)空穴對后,其他位置上的電子有可能填補(bǔ)空穴,從而又形成新的空穴。以此往復(fù)就形成了空穴運(yùn)動(dòng),其示意圖如圖3所示。
    三極管與MOS管工作原理
    空穴對的一個(gè)很重要的意義在于提高了導(dǎo)電能力。也就是說如果在晶體內(nèi)全部都是完好的共價(jià)鍵是沒有辦法導(dǎo)電的。形成了空穴對之后,空穴和自由電子各自都是載流子,都可以運(yùn)載電荷形成電流。
    雜質(zhì)半導(dǎo)體
    與完全不含雜質(zhì)且無晶格缺陷的純凈半導(dǎo)體相對,在其中加入一些微量雜質(zhì)就形成了雜質(zhì)半導(dǎo)體。由加入的雜質(zhì)元素不同形成兩種半導(dǎo)體。
    在本征半導(dǎo)體中加入五價(jià)元素磷、砷后,稱為N型半導(dǎo)體。加入的這些元素原子與周圍的四價(jià)原子形成共價(jià)鍵之后會(huì)多出來一個(gè)自由電子,如下圖所示。
    三極管與MOS管工作原理
    于是在N型半導(dǎo)體中出現(xiàn)了大量的不受共價(jià)鍵束縛的自由電子,同時(shí)也沒有出現(xiàn)相應(yīng)的空穴。于是在N型半導(dǎo)體中,用于導(dǎo)電的載流子以自由電子居多,稱為多子;空穴就成為了少數(shù)載流子,又稱為少子。
    相應(yīng)的在本征半導(dǎo)體中加入三價(jià)元素硼、銦后,稱為P型半導(dǎo)體。加入的這些元素原子與周圍的四價(jià)原子形成共價(jià)鍵之后會(huì)多出來一個(gè)自由電子,如圖5所示。
    三極管與MOS管工作原理
    于是在N型半導(dǎo)體中多子為空穴,少子為自由電子。以下兩點(diǎn)說明對于理解這一部分非常有用:
    1.N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體都是電中性的,所謂的P和N不代表電性,代表的是多數(shù)載流子的電性。
    2.加入這些雜質(zhì)元素后就會(huì)形成多余載流子(空穴或者自由電子)的更本原因在于在原子內(nèi)部,負(fù)電荷可分(每個(gè)電子帶一個(gè)負(fù)電荷),正電荷不可分(全部集中于原子核)。
    3.空穴本身無法運(yùn)動(dòng),所以空穴作為載流子的根本還在于吸收電子。也就是說空穴傳輸電流的本質(zhì)還是電子的移動(dòng)產(chǎn)生的電流。
    擴(kuò)散與漂移—PN結(jié)的形成
    將P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體制作在一起,形成一個(gè)特殊的交接面時(shí),如圖 6所示,P區(qū)中有很多空穴,N區(qū)中有很多自由電子。于是很自然地自由電子會(huì)擴(kuò)散到P區(qū),與空穴結(jié)合。這種現(xiàn)象稱之為擴(kuò)散現(xiàn)象。
    三極管與MOS管工作原理
    本來的P區(qū)和N區(qū)都是電中性的,由于自由電子的擴(kuò)散,必然導(dǎo)致半導(dǎo)體內(nèi)部的電中性被破壞,從而在導(dǎo)體內(nèi)PN結(jié)處形成一個(gè)內(nèi)電場,如圖7所示。
    三極管與MOS管工作原理
    從內(nèi)電場的方向可以看出是阻止自由電子進(jìn)入P區(qū)的,由內(nèi)電場導(dǎo)致的載流子的運(yùn)動(dòng)稱為漂移運(yùn)動(dòng)。漂移運(yùn)動(dòng)與擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)是相反的,于是在PN區(qū)連接處兩種運(yùn)動(dòng)會(huì)形成一種動(dòng)態(tài)平衡。從而形成了一定寬度的"空間電荷區(qū)",這個(gè)區(qū)域就稱為"PN結(jié)"或者"耗盡層"。
    耗盡層的寬度由擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)的強(qiáng)度確定的。耗盡層的電阻率很高,為高阻區(qū)。這是由于電阻的大小反映的是導(dǎo)電性能的高低,耗盡層已經(jīng)達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡,基本不導(dǎo)電,自然電阻就很大。
    雖然無論是擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)還是漂移運(yùn)動(dòng),實(shí)際運(yùn)動(dòng)的都是電子。但是為了區(qū)別擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)和漂移運(yùn)動(dòng),常常會(huì)將擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)運(yùn)動(dòng)稱為多子運(yùn)動(dòng),因?yàn)閿U(kuò)散是本區(qū)域中的多子進(jìn)入對方區(qū)域的過程;相應(yīng)的漂移運(yùn)動(dòng)就成為少子運(yùn)動(dòng)。
    PN結(jié)的單向?qū)щ娦?/div>
    當(dāng)給PN結(jié)加正向電壓,即與內(nèi)電場方向相反的外加電場時(shí),內(nèi)電場被削弱,最終的結(jié)果是N區(qū)的電子不斷的進(jìn)入P區(qū),且N區(qū)可以從外加的電源中源源不斷的汲取電子,于是就形成了較大的正向電流,如圖8所示。
    三極管與MOS管工作原理
    如果反過來加反向電壓,即外電場與內(nèi)電場方向相同,導(dǎo)致的是多子難以擴(kuò)散,少子的漂移運(yùn)動(dòng)加強(qiáng)。但是由于少子數(shù)量極少,所以無法形成持續(xù)不斷的電流,此時(shí)PN結(jié)處于截止?fàn)顟B(tài)。
    單向?qū)щ娦允荘N結(jié)最為重要的特性,也是后面所以討論的基礎(chǔ)。
    三極管的工作原理及特性
    三極管之所以運(yùn)用如此廣泛,其主要原因在于它可以通過小電流控制大電流。形象地說就是基極其是是一個(gè)閥門開關(guān),閥門開關(guān)控制的是集電極到發(fā)射極之間的電流大小,而本身控制閥門開關(guān)的基極的電流要求很小。更加形象的圖形說明如下所示:
    三極管與MOS管工作原理
    三極管的結(jié)構(gòu)與符號
    三極管與MOS管工作原理
    三極管內(nèi)部機(jī)構(gòu)要求:(此處只說結(jié)論)
    1.發(fā)射區(qū)參雜濃度很高,以便有足夠的載流子供發(fā)射。
    2.為減少載流子在基區(qū)的復(fù)合機(jī)會(huì),基區(qū)做得很薄,一般為幾個(gè)微米,且參雜濃度極低。
    3.集電區(qū)體積較大,且為了順利收集邊緣載流子,參雜濃度介于發(fā)射極與基極之間。
    三極管基本工作原理
    三極管的主要功能有:交流信號放大、直流信號放大和電路開關(guān)。同時(shí)三極管有三個(gè)工作區(qū)間,分別是:放大區(qū)、飽和區(qū)和截止區(qū)。
    這里首先介紹的就是交流信號放大、直流信號放大的放大功能,此時(shí)三極管工作在放大區(qū)。工作在放大區(qū)的三極管需要給發(fā)射極設(shè)置正向偏置、給集電極設(shè)置反向偏置,如圖11所示。
    三極管與MOS管工作原理
    由于發(fā)射極正偏,發(fā)射極的多數(shù)載流子(無論是P的空穴還是N的自由電子)會(huì)不斷擴(kuò)散到基極,并不斷從電源補(bǔ)充多子,形成發(fā)射極電流IE。
    由于基極很薄,且基極的多子濃度很低,所以從發(fā)射極擴(kuò)散過來的多子只有很少一部分和基極的多子復(fù)合形成基極電流IB(發(fā)射極和基極的極性一定是相反的,所以各自的多子極性相反)。
    而剩余的大部分發(fā)射極傳來的多子會(huì)繼續(xù)擴(kuò)散到集電極邊緣。由于集電極反偏,所以反偏電壓會(huì)將在集電極邊緣的來自發(fā)射極的多子拉入集電極,形成較大的集電極電流IC。
    三極管和MOS管工作原理
    MOS管與三極管的區(qū)別
    1.場效應(yīng)管的源極S、柵極G、漏極D分別對應(yīng)于三極管的發(fā)射極e、基極b和集電極c,作用相似。
    2.場效應(yīng)管是電壓控制電流器件,場效應(yīng)管的柵極基本不需要電流;而三極管的基極總是需要一些電流的。所以在希望控制端基本沒有電流的情況下應(yīng)該是一場效應(yīng)管;而在允許一定量電流時(shí),選取三極管進(jìn)行放大可以得到較場效應(yīng)管更大的放大倍數(shù)。
    3.場效應(yīng)管是利用多子導(dǎo)電,三極管是即利用多子又利用少子。少子的濃度收到溫度、輻射等外界條件影響場效應(yīng)管相比于三極管溫度穩(wěn)定性好、抗輻射能力強(qiáng)。
    4.當(dāng)場效應(yīng)管的源極和襯底沒有連接在一起時(shí),源極和漏極可以互換使用。而三極管的集電極和設(shè)計(jì)差異很大,不能互換。
    5.場效應(yīng)管的噪聲系數(shù)小,在信噪比是主要矛盾時(shí)選擇場效應(yīng)管。
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