MOS管靜態(tài)功耗步驟
如下圖所示的NMOS反相器，現(xiàn)在要計(jì)算其靜態(tài)功耗。
當(dāng)輸入信號(hào)為高電平時(shí)，NMOS閉合，但是又不是一個(gè)理想的開(kāi)關(guān)，所以有開(kāi)關(guān)電阻RON。
所以，當(dāng)輸入為高電平時(shí)，靜態(tài)功耗為下圖所示：
當(dāng)輸入為低電平時(shí)，此時(shí)NMOS是理想的斷開(kāi)，此時(shí)電路如下圖所示。
由于電路中沒(méi)有電流，所以功耗為0。
所以對(duì)于本有NMOS構(gòu)成的反相器而言，靜態(tài)功耗為：
當(dāng)忽略掉該直流導(dǎo)通電阻RON時(shí)，則靜態(tài)功耗為：
如何理解mosfet靜態(tài)功耗低，三極管功耗為什么又比mos管功耗高，速度比mos管慢？
功耗是因?yàn)槿龢O管做開(kāi)關(guān)時(shí)，要一個(gè)Ib維持。而mos管是壓控device，基本上不消耗電流。
速度是因?yàn)椋琺os管壓控時(shí)，得等大gate上電荷積累到vth后，電路才導(dǎo)通；而三極管是電流控制，導(dǎo)通時(shí)間比mos管的小的多。
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