以下是NMOS電容的C-V特性曲線。
當(dāng)Gate的電壓是一個(gè)負(fù)值時(shí)，在靠近襯底的氧化層面，會吸引空穴，這時(shí)候的NMOS管工作在積累區(qū)，形成了以Gate和空穴為極板，氧化層為介質(zhì)的電容。
當(dāng)Gate的電壓在0到VTH時(shí)，NMOS管工作在亞閾值區(qū)。在這個(gè)區(qū)域，Gate電壓上升，空穴逐漸被排斥，開始形成耗盡層，NMOS進(jìn)入弱反型，這時(shí)NMOS相當(dāng)于柵氧化層和耗盡層兩個(gè)電容串聯(lián)，容值減少，處于NMOS管電容的C-V曲線的凹陷區(qū)域。
當(dāng)Gate的電壓大于VTH時(shí)，NMOS反型層形成，NMOS管導(dǎo)通。這時(shí)候，形成了Gate和反型層為極板，氧化層為介質(zhì)的的電容，電容值和積累區(qū)的容值一樣。
Layout中的MOS管電容
我們在Layout時(shí)，會在一些空的地方加上接 電源 地的MOS電容，這時(shí)候我們需要特別注意電源電壓。
若是3.3V的電源，就不能用1.8V的MOS做電容了，防止電壓擊穿MOS的氧化層，要用氧化層厚點(diǎn)的3.3V的MOS。
若是1.8V的電源，可以用3.3V的MOS電容，也可以用1.8V的MOS電容。但是，從容值角度考慮，在相同面積下，應(yīng)該用容值更大的MOS電容，3.3V的MOS的氧化層比1.8V的MOS氧化層厚，這樣容值就相對1.8V的MOS小了，所以應(yīng)該選1.8V的MOS電容。
比如1.0V的電壓域，選擇MOS管做電容，就不能簡單的用普通的MOS管了，普通的MOS管，閾值電壓VTH比較大，1.0V電壓可能讓普通MOS管進(jìn)入亞閾值區(qū)，容值處于C-V特性曲線的凹陷區(qū)域，這時(shí)候電容值就很小了。為了避免這種情況出現(xiàn)，可以選用閾值電壓VTH接近于0的native MOS。
〈烜芯微/XXW〉專業(yè)制造二極管，三極管，MOS管，橋堆等，20年，工廠直銷省20%，上萬家電路電器生產(chǎn)企業(yè)選用，專業(yè)的工程師幫您穩(wěn)定好每一批產(chǎn)品，如果您有遇到什么需要幫助解決的,可以直接聯(lián)系下方的聯(lián)系號碼或加QQ/微信，由我們的銷售經(jīng)理給您精準(zhǔn)的報(bào)價(jià)以及產(chǎn)品介紹
聯(lián)系號碼：18923864027（同微信）
QQ：709211280