1.源極接地型開(kāi)關(guān)
如下是NMOS和PMOS的源極接地型開(kāi)關(guān)，所謂源極接地型，即NMOS的源極直連GND，PMOS的源極直連VDD。其中Rg是柵極限流電阻，RP是偏置電阻，RD是主路徑限流電阻。
圖3-1：NMOS和PMOS源極接地型開(kāi)關(guān)
對(duì)于NMOS源極接地型開(kāi)關(guān)，當(dāng)Ctrl in輸入高電平時(shí)，NMOS導(dǎo)通，out端直接連GND，輸出低電平；當(dāng)Ctrl in為低電平時(shí)，NMOS不導(dǎo)通，out端通過(guò)RD連接VDD，輸出高電平。
對(duì)于PMOS源極接地型開(kāi)關(guān)，當(dāng)Ctrl in輸入高電平（以VDD為基準(zhǔn)，VDD-Vin＞Vth）時(shí)，PMOS不導(dǎo)通，out端被RD下拉至GND，輸出低電平；當(dāng)Ctrl in輸入低電平（VDD-Vin
根據(jù)上面描述的工作過(guò)程，可知源極接地型開(kāi)關(guān)的out和Ctrl in比較，是反相的，所以源極接地型開(kāi)關(guān)又叫反相開(kāi)關(guān)。
2.源極跟隨型開(kāi)關(guān)
如下是NMOS和PMOS的源極跟隨型開(kāi)關(guān)，所謂源極跟隨型，即NMOS的漏極直連VDD，PMOS的漏極直連GND。其中Rg是柵極限流電阻，RP是偏置電阻，RD是主路徑限流電阻。
圖3-2：NMOS和PMOS源極跟隨器型開(kāi)關(guān)
對(duì)于NMOS源極跟隨型開(kāi)關(guān)，當(dāng)Ctrl in輸入高電平時(shí)，NMOS導(dǎo)通，out端直接連VDD，輸出高電平；當(dāng)Ctrl in為低電平時(shí)，NMOS不導(dǎo)通，out端被RD下拉至GND，輸出低電平。
對(duì)于PMOS源極跟隨型開(kāi)關(guān)，當(dāng)Ctrl in輸入高電平（以VDD為基準(zhǔn)，Vin-VDD＞Vthmax）時(shí)，PMOS不導(dǎo)通，out端通過(guò)RD連接VDD，輸出高電平；當(dāng)Ctrl in輸入低電平（Vin-VDD
根據(jù)上面描述的工作過(guò)程，可知源極跟隨型開(kāi)關(guān)的out和Ctrl in比較，是同相的，所以源極跟隨型開(kāi)關(guān)又叫同相開(kāi)關(guān)。
3.源極接地型和源極跟隨型開(kāi)關(guān)設(shè)計(jì)實(shí)例
設(shè)計(jì)背景：
控制端為MCU的GPIO，高電平1.8V，VDD為5.0V，設(shè)計(jì)一個(gè)LED驅(qū)動(dòng)電路，可以控制LED的亮滅。LED為ROHM的SMLZ24BN3TT86，相關(guān)參數(shù)如下：
圖3-3：LED的最大額定參數(shù)
圖3-4：LED的標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)
從上述參數(shù)可知，LED正常工作時(shí)，導(dǎo)通電流IFMAX=30mA，脈沖峰值電流為100mA，那么控制LED關(guān)閉時(shí)電流為0mA，導(dǎo)通時(shí)電流為20mA，VF=3.3V，明暗就在0-20mA之間變化。
設(shè)計(jì)分析：
LED點(diǎn)亮?xí)r，VF=3.3V，那么導(dǎo)通路徑上的電阻分壓為5-3.3=1.7V，導(dǎo)通路徑電流=0.02A，路徑電阻RD=1.7V/0.02A=85Ω。因?yàn)槁窂诫娏鞑淮螅圆恍枰x用功率MOS，小信號(hào)MOS就可以滿足要求。Ctrl in端電壓=1.8V，匯總選型參數(shù)為：ID＞0.02A，VGSTH＜1.8V，VDSS＞5.0V。
此處選LRC的LSI1012LT1G，具體參數(shù)如下：
圖3-5：LSI1012LT1G最大額定參數(shù)
圖3-6：LSI1012LT1G靜態(tài)參數(shù)
VGSth=0.9Vmax，1.8V的VGS可以將MOS完全打開(kāi)。設(shè)計(jì)如下：
圖3-7：NMOS源極接地型和源極跟隨型開(kāi)關(guān)
從圖3-7可以看到，同樣的器件，兩種驅(qū)動(dòng)方式，參數(shù)是不同的，左圖MOS關(guān)斷時(shí)，電流路徑為VDD--->RD--->LED--->GND，此時(shí)功耗P關(guān)=PRD+PLED。MOS導(dǎo)通時(shí)，此時(shí)功耗P通=PRD+PQ。由于RD比較小，P通會(huì)比較大。右圖MOS關(guān)斷時(shí)，此時(shí)功耗P關(guān)=0，MOS導(dǎo)通時(shí)，RD比較大，20mA電流都流向LED，此時(shí)功耗P通=PLED。（電阻RD上的功耗忽略不計(jì)）。兩種功耗的差異很明顯，但前者是反相，高電平熄滅，低電平點(diǎn)亮，后者是同相，高電平點(diǎn)亮，低電平熄滅。
圖3-10是PNP型源極接地型和源極跟隨型開(kāi)關(guān)，分析方式和上面類似，選用PMOS型號(hào)為L(zhǎng)RC的LSI1013LT1G設(shè)計(jì)源極接地型和源極跟隨型開(kāi)關(guān)：
圖3-8：LSI1013LT1G最大額定參數(shù)
圖3-9：LSI1013LT1G電氣參數(shù)
由于VDD=5V，那么Ctrl in電平的參照就是VDD=5V，Ctrl in最高1.8V，VGS是-5V和-3.2V，均小于VGSTH=-1.3V，都處于導(dǎo)通狀態(tài)。如果更改VDD為1.8V，當(dāng)Ctrl in=0V低電平時(shí)，VGS=-1.78V＜-1.3V，PMOS導(dǎo)通，當(dāng)Ctrl in=1.8V高電平時(shí)，VGS=0V＞-0.45V，PMOS關(guān)斷。更改為VDD=1.8V，LED就需要重新選型。
從上面計(jì)算可知使用PMOS設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)電路，沒(méi)有NMOS簡(jiǎn)單，成本也比較高。
圖3-10：PMOS源極接地型和源極跟隨型開(kāi)關(guān)
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