MOSFET是一種受門極電壓控制的開關。
當門極電壓大于開通閾值時，MOSFET就會被開通；當門極電壓低于開通閾值時，MOSFET會被關斷。
在實際的應用中，由于器件及外圍線路寄生參數(shù)等其他因素的影響，會導致原本關斷的功率器件被誤開通。
今天我們和大家一起來談談MOSFET在驅(qū)動電路中的誤開通以及其應對方法。
我們來講下誤開通的兩種情況：米勒效應引起的誤開通和寄生電感引起的誤開通。
米勒效應引起的誤開通
當 MOSFET 關斷，隨后對管導通時， Vds 電壓（漏極與源極之間所能施加的最大電壓值）快速上升產(chǎn)生高的 dv/dt（開關瞬態(tài)過程中漏極－源極電壓的變化率），從而在電容 Cgd （米勒電容）中產(chǎn)生位移電流( igd)。
這個位移電流流經(jīng) 后會產(chǎn)生一個電壓尖峰 。如果這個電壓尖峰超過了 MOSFET 的開通閾值，MOSFET 就會被開通，從而導致電路直通甚至損壞。
還有一種誤開通是由于線路上的寄生電感引起的，如下圖，Ls 是MOSFET 源極上的寄生電感。
當 MOSFET 快速關斷時，電流迅速減小產(chǎn)生較高的 di/dt，隨后寄生電感的兩端產(chǎn)生一個負的電壓（VLS）。這個VLS電壓如若超過了 MOSFET 的門極閾值，MOSFET 就會被誤開通。
那么，我們有什么方法來應付MOSFET被誤開通的現(xiàn)象呢？
1.調(diào)整門極驅(qū)動電阻和電容
通過調(diào)節(jié)門極驅(qū)動電阻和電容的大小可以來調(diào)整 MOSFET 的開通/關斷速度：增大門極驅(qū)動電阻和電容來減慢MOSFET開通/關斷的速度，減小 dv/dt (di/dt) 從而減小門極電壓尖峰。
增加三極管
可以在靠近功率管的門極處放一個三極管來防止在關斷期間的誤開通，有效的抑制由于米勒效應帶來的門極誤開通。
3.采用反并聯(lián)二極管
使電感中的電流能夠通過二極管回路消失，從而避免產(chǎn)生反向電勢。
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