我們經(jīng)常會(huì)提到NMOS和PMOS，并且微碧在往期講過不少兩者在一些應(yīng)用領(lǐng)域中的情況。但是很少對(duì)兩者的基本情況進(jìn)入深入探討，今天我們來(lái)對(duì)兩者之間的區(qū)別進(jìn)行簡(jiǎn)單的講解（以電流和導(dǎo)通條件為主）。
NMOS的電流流向和導(dǎo)通條件：
NMOS（N溝道MOSFET）
電流流向：
NMOS的電流流向是從源極（S）到漏極（D）。當(dāng)正向偏置電壓施加在柵極（G）和源極之間時(shí)，電流從源極流向漏極，即S-D。
電流可由D-->S（nmos），也可S-->D（pmos）。主要是看源極和漏極之間的電位，漏極電位高于源極，電流D到S。源極電位高于漏極，電流S到D。
導(dǎo)通條件：
NMOS的導(dǎo)通條件是當(dāng)柵極和源極之間的電壓（Vgs）大于或等于閾值電壓（Vth）時(shí)。閾值電壓是一個(gè)特定的電壓值，它決定了MOSFET是否導(dǎo)通。一旦Vgs大于或等于Vth，NMOS就會(huì)導(dǎo)通。此時(shí)，柵極和漏極之間的電壓（Vgd）可以是正值或零。
PMOS的電流流向和導(dǎo)通條件：
PMOS（P溝道MOSFET）的電流流向和導(dǎo)通條件如下所述。
電流流向：
PMOS的電流流向是從漏極（D）到源極（S）。當(dāng)負(fù)向偏置電壓施加在柵極（G）和源極之間時(shí)，電流從漏極流向源極，即D-S。
導(dǎo)通條件：
PMOS的導(dǎo)通條件是當(dāng)柵極和源極之間的電壓（Vgs）小于或等于閾值電壓（Vth）時(shí)。閾值電壓是一個(gè)特定的電壓值，它決定了MOSFET是否導(dǎo)通。一旦Vgs小于或等于Vth，PMOS就會(huì)導(dǎo)通。此時(shí)，柵極和漏極之間的電壓（Vgd）可以是負(fù)值或零。
S是源極，D是漏極
對(duì)于NMOS，載流子是電子，我們知道電子的流向都是從源極到漏極，但是電流的流向是從漏極到源極。
對(duì)于PMOS，載流子是空穴對(duì)，空穴對(duì)的流向也是從源極到漏極，與NMOS不同的是PMOS電流的方向也是從源極到漏極，注意區(qū)分。
以常見的Silicon-On-Insulator（SOI）技術(shù)制造的NMOS和PMOS為例。
對(duì)于NMOS：
- 閾值電壓（Vth）：通常在0.2V到0.7V之間，具體取決于器件的尺寸和工藝。
- 電流流向：從源極到漏極（S到D）。
對(duì)于PMOS：
- 閾值電壓（Vth）：通常在-0.2V到-0.7V之間，具體取決于器件的尺寸和工藝。
- 電流流向：從漏極到源極（D到S）。
說明：閾值電壓影響因素：襯底摻雜濃度，金屬半導(dǎo)體功函數(shù)，柵氧化層電容，關(guān)于襯底偏置效應(yīng)等。
NMOS和PMOS兩者的襯底濃度不為相同，然而，襯底濃度越大，對(duì)應(yīng)MOS管的閾值電壓也越大，所以一般PMOS的閾值電壓都要比NMOS要更大一些。
需要注意的是，以上數(shù)據(jù)僅供參考，實(shí)際的閾值電壓和電流流向可能因不同器件和工藝而有所不同。
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