一、米勒平臺的形成機制
在MOSFET的開關驅動過程中，驅動源對MOSFET輸入電容（主要是柵源極電容Cgs）的充放電起著關鍵作用。當Cgs的電壓達到門檻電壓時，MOSFET開始進入開通狀態(tài)。隨著MOSFET的開通，漏源電壓Vds逐漸下降， Drain電流Id相應上升，此時MOSFET處于飽和區(qū)。然而，由于米勒效應的影響，柵源電壓Vgs會在一段時間內停滯不前。此時，Id已達到最大值，而Vds仍在繼續(xù)下降，直至米勒電容（Crss）被完全充電，Vgs才恢復上升，最終達到驅動電壓的值，MOSFET也隨之進入電阻區(qū)，Vds完全降低，開通過程結束。
米勒效應的產生源于MOS管的寄生電容，特別是柵漏極電容Cgd。在MOS管開通過程中，當柵源電壓Vgs上升至某一值后，會出現一段平臺期。這是因為，在MOS開通前，漏極D的電壓高于柵極G的電壓，導致MOS寄生電容Cgd儲存的電荷需要在導通過程中注入柵極G，與其中的電荷進行中和。只有當MOS完全導通后，柵極G的電壓才會高于漏極D的電壓。米勒效應會顯著增加MOSFET的開通損耗，使MOS管無法迅速進入開關狀態(tài)，進而延長了開關時間。
米勒平臺實際上是MOSFET處于放大區(qū)的典型特征。通過示波器測量柵源電壓Vgs時，可以觀察到在電壓上升過程中有一個明顯的平臺或凹坑，這就是所謂的米勒平臺。
二、米勒平臺形成的詳細過程
理論上，如果在驅動電路的柵極G和源極S之間添加一個足夠大的電容，可以有效消除米勒效應。然而，這種做法會導致開關時間顯著延長。通常推薦添加相當于0.1倍輸入電容（Ciess）的電容值，可以在一定程度上改善米勒效應，同時避免開關時間過長。
米勒平臺的形成過程與Cgd的充電過程密切相關。在MOS剛開通時，Cgd通過MOS快速放電，隨后被驅動電壓反向充電，分擔了驅動電流，導致Cgs上的電壓上升變緩，從而形成平臺。在米勒平臺期間，Vgs變化很小，只有當Cgd被充電至與Vgs水平相同時，Vgs才會繼續(xù)上升。
具體來說，當MOSFET開始導通時，Vds的變化通過Cgd和驅動源的內阻形成一個微分電路。由于Vds近似線性下降，其微分結果是一個常數，從而在Vgs處產生一個穩(wěn)定的平臺。這一過程與MOSFET數據手冊中給出的反向傳輸電容Crss密切相關。
三、米勒平臺的優(yōu)化與改善方法
為了有效改善米勒平臺的影響，可以采取以下幾種策略：
（一）增加驅動電路中的電容
在柵極G和源極S之間添加一個足夠大的電容可以削弱米勒效應。然而，這種方法會延長開關時間，因此需要在改善米勒效應和開關速度之間進行權衡。
（二）選擇Cgd較小的MOS管
在選擇MOS管時，應盡量選擇Cgd較小的器件。較小的Cgd可以減少米勒平臺的影響，從而降低開通損耗，提高開關效率。
（三）縮短驅動信號的布線長度
減少布線長度可以降低寄生電感，從而降低米勒平臺引起的震蕩和電壓過沖。此外，選擇合適的柵極驅動電阻也有助于優(yōu)化電路性能。
（四）使用合適的門極驅動電阻
通過選擇適當的門極驅動電阻RG，可以有效減緩米勒效應的影響。合適的電阻值可以在驅動電流和開關速度之間取得平衡，避免米勒平臺引起的不穩(wěn)定現象。
（五）在GS端并聯電容
在柵源極之間并聯電容可以有效抑制寄生電壓，防止米勒平臺產生震蕩。盡管這種方法會增加一定的驅動損耗，但可以顯著提高電路的穩(wěn)定性。
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